曹玉暖的连续提问让会议室里气氛热烈起来，大家都觉得既然一个博士实习生提出的问题胡一亭都耐心解答，那自己提一两个深奥些的问题也不算丢人吧。
成光所马佳光所长
“天才难道就是这样的吗他才18岁啊我18岁的时候
胡一亭说的口干舌燥，眼看着大家的问题告一段落，便低下头继续翻动自己做的t。
“嗯，接下来我给大家讲一下，这是我
一听说又有新技术要诞生了，
胡一亭指着投影屏幕道“这是我做的关于存储器技术
ero需要从系统上取下后暴露于紫外光下进行擦除，且每次擦除都完全抹去所有信息，这样使用很不方便，目前已经逐渐退出市场。它的替代物是后来出现的电可擦除eero，从此存储器就实现了
之后
目前来说，国际上认为，只有不断
但是我们应该明白，制程线宽的提升是很慢的，按照摩尔定律的升级速度，晶体管数量要18个月才能翻翻，也就是说闪存芯片的容量被摩尔定律锁住了。
这是不可以接受的
至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”
此言一出，大家都愣住了，心说你胡一亭是牛，这我们承认，可你要挑战摩尔定律，这大话可就说的太离谱了，不提高线宽的前提下，你就是把设计做出花来，晶体管数量也还是那么多，怎么可能提高存储容量呢
胡一亭知道大家的困惑，继续道“其实方法是有的，我今天要介绍的就是我思考出的一种突破闪存容量上限的新技术。”
胡一亭切换t图片，“目前国际上有些专家也对此阐述过一些技术，我总结下来有三种，一种是质子非挥
我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程上就行不通了，大面积的工程应用做不出来就等于白说，现
胡一亭继续切换t，“目前我们能做的只有继续
我个人这次
顾名思义，这两者区别
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事是不是把两个芯片叠
胡一亭笑道“别急别急，我这就说，但不是你想的那样，o叠层封装工艺并不能降低闪存成本，两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已，价格也只会更加昂贵，和我说的c构造是两码事。”
说着胡一亭切了一张自制的t，开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起c构造的特点来。
“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0，这是常识了。
我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，我们
接下来我说关键点，大家看图，由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制
胡一亭对着图片解释完之后，会议室里一片哗然，科学家工程师们先是面面相觑，随即手足无措，接着便开始坐立不安，最后全都开始叫好称赞起来，甚至有人开始鼓掌。
其中赵赫更是欢喜的抓耳挠腮，他已经被胡一亭勾引的失去了理智，急忙道“胡总你太神了，你这是怎么想出来的这可是专利啊是重光的专利啊我们得赶紧实验赶紧写论文申请专利”
曹玉暖也欢喜的鼓起了掌“胡一亭你的设想太完美了我觉得可行真的可行这个路子怎么以前就没人想到呢你真是天才我就知道你是最棒的”
胡一亭看着大家的兴奋劲，心想这哪是我想出来的啊，这是以色列saifun公司搞出来的nosfash技术，被英特尔
这时奚龙山突然开口问道“胡总，我有个问题，你这么一搞，的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么取呢”
胡一亭笑了起来“这四种情况的电压是不同的呀，我们只要设计出一套解码电路，用于取并解析数据就行，根据我的初步设计，可以把05v25v设定为11，25v4v设定为10，4v55v设定为01，55v到6v设定为00，具体的解码电路设计我已经有了腹稿，这款芯片的初步设计我已经胸有成竹，上周我已经把sc芯片设计改良完成，本周我就把这款c的芯片设计拿出来，下周就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就对这款c进行第一次工程流片”
说完胡一亭意气风
奚龙山惊讶的合不拢嘴，上唇哆嗦着，轻声感慨道“胡总真神人也”请牢记